Автор: На протяжении более десяти лет 2D-транзисторы, созданные на основе 2D-материалов, исследуются в лабораториях, но ни одна из технологий не была готова к массовому производству. На этой неделе Intel Foundry совместно с Imec продемонстрировали технологию, способную работать с 300-миллиметровыми пластинами. Современные техпроцессы, включая Intel 18A и TSMC N2, ориентированы на транзисторы GAA, но CFET, которые будут развиваться в ближайшие десять лет, сталкиваются с физическими ограничениями кремниевых каналов. В ответ на эту проблему, Intel и Imec исследуют дихалькогениды переходных металлов (TMD) для 2D-транзисторов. Они представили схему интеграции контактов и затворов, совместимую с производством, обеспечивающую создание надежных и масштабируемых контактов. Это исследование важно для будущего производства микросхем с использованием 2D-материалов, хотя внедрение ожидается не ранее второй половины 2030-х годов.
