Автор: В Центральном округе Сеула прокуратура предъявила обвинения десяти лицам, участвовавшим в крупной краже технологий производства DRAM-памяти 10-нанометрового класса у компании Samsung Electronics. Пятеро из обвиняемых, среди которых есть и бывшие сотрудники компании, были арестованы. Ущерб, причиненный Samsung, составляет 5 триллионов вон (примерно 3,5 миллиарда долларов), а общие потери для экономики Южной Кореи оцениваются в десятки триллионов вон.
Расследование выявило, что китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), основанная в 2016 году, привлекла экс-начальника отдела Samsung для руководства разработками. С его участием, а также с помощью других бывших сотрудников Samsung, была организована схема кражи технологий. Один из перебежчиков скопировал сотни этапов 18-нанометрового производственного процесса, который Samsung разрабатывала в течение пяти лет.
Преступники создали подставную компанию и использовали собственный кодовый язык для общения, чтобы избежать задержаний. Полученные данные адаптировали под китайское оборудование, что позволило CXMT начать выпуск передовой памяти в 2023 году, сократив технологическое отставание. Прокуратура оценивает этот случай как угрозу национальной безопасности, так как полупроводниковая отрасль составляет более 20% экспорта Южной Кореи. Власти обещали продолжать жестко пресекать незаконные передачи технологий за границу.
