Автор: Во времена президентства Байдена США пытались ограничить южнокорейские компании в расширении их производственных мощностей в Китае. Однако Samsung и SK hynix смогли сохранить доступ к необходимому оборудованию из США и продолжили инвестировать в модернизацию своих заводов в Поднебесной. Согласно отчету Business Korea, Samsung Electronics вложила в модернизацию своего завода в Сиане $344 млн в прошлом году, что на 67,5% больше по сравнению с предыдущим годом. Этот завод является единственным зарубежным производственным объектом микросхем памяти NAND компании и обеспечивает до 40% ее объемов производства. В свою очередь, SK hynix инвестировала в свои фабрики в Китае более $663 млн. В Уси и Даляне компания улучшила свои мощности для производства DRAM и 3D NAND. Ожидается, что новые технологии, такие как 236-слойная память 3D NAND и DDR5, помогут обеим компаниям увеличить свои производственные объемы на фоне растущего спроса на память для ИИ.
