Автор: Формируемая из нескольких слоев память типа HBM считается одной из самых быстрых, но её производство остается затратным и сложным. По информации издания Business Korea, организация JEDEC намерена ослабить требования к высоте стека HBM4E, что облегчит работу производителям памяти как текущего, так и будущих поколений. В настоящее время максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, а для HBM4 — 775 мкм. Ожидается, что для HBM4E этот предел будет увеличен до 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов и увеличить ёмкость стека. Современные микросхемы HBM3E имеют до 12 ярусов, однако уже существуют прототипы 16-ярусных чипов. Снижение требований также приведет к уменьшению уровня брака и увеличению объемов годной продукции. Тем не менее, южнокорейские производители, такие как Samsung и SK hynix, выражают опасения, что смягчение стандартов может облегчить вход на рынок для конкурентов, в частности из Китая.
