Автор: Специалисты из Индийского научного института (IISc) осуществили значительный шаг вперед в исследовании силовых транзисторов на базе нитрида галлия (GaN), что позволит улучшить безопасность и удобство в использовании высокотехнологичной электроники. Нитрид галлия снижает потери энергии и уменьшает размеры силовых преобразователей, однако его распространение сталкивается с проблемами из-за ограничений в управлении затвором. В современных транзисторах с затвором из GaN, ток начинает проходить при пороговом напряжении 1,5–2 В, но при более высоком напряжении от 5 до 6 В наблюдается утечка тока. Исследователи проанализировали поведение транзисторов с использованием новых подходов, выявив влияние обедненного состояния p-GaN и разработали новые запирающие слои, позволяющие сократить утечки и повысить стабильность порога до 15,5 В. Эти достижения открывают новые возможности для применения нитрида галлия в электронике, включая электромобили и возобновляемые источники энергии.
