Автор: Intel объявила о значительном прогрессе в создании двумерных транзисторов 2DFET, которые имеют толщину всего в несколько атомов и могут производиться в стандартных условиях. Несмотря на то, что 2D-транзисторы изучаются более десяти лет, их применение в массовом производстве оставалось под вопросом. На недавней презентации Intel Foundry и imec продемонстрировали интеграцию критически важных технологических модулей для 2DFET на 300-миллиметровых пластинах, что свидетельствует о реальной возможности их массового производства.
Используя дихалькогениды переходных металлов, такие как WS₂ и MoS₂ для n-типа, а WSe₂ для p-типа, компании преодолели сложности интеграции этих материалов в производственные процессы. Новая схема интеграции контактов и затворов, представленная Intel и imec, позволяет сохранить целостность 2D-каналов и решает проблему формирования низкоомных контактов. Хотя 2D-транзисторы не появятся на рынке в ближайшее время, работа Intel и imec снижает риски в их разработке и производстве, приближая нас к новому этапу в полупроводниковой технологии.
