Автор: Micron Technology, ведущий производитель полупроводников, планирует инвестировать порядка $9.6 миллиардов в создание новой линии по производству памяти HBM в Хиросиме, Япония. Эта инициатива связана с растущим спросом на высокоскоростные модули памяти, необходимые для ускорителей в сфере искусственного интеллекта. В отличие от других производителей, таких как Samsung, которые также увеличивают свои мощности в сегменте DRAM, Micron сосредоточится на более прибыльной HBM, что может привести к дефициту других типов памяти, таких как DDR и GDDR. Строительство новой линии начнётся в следующем году, а массовое производство планируется запустить в 2028 году. В дополнение к этим инвестициям возможно выделение дополнительных средств от японского правительства. На текущий момент Micron уже производит память LPDDR5x на существующем заводе, используя передовые технологии EUV-литографии.
