Автор: Корейский технологический гигант Samsung сообщил о старте массового производства и коммерческой реализации памяти нового поколения HBM4. Это знаменательное событие делает Samsung первопроходцем в области применения данной технологии в реальных продуктах. Главной особенностью HBM4 является использование современного 4-нм техпроцесса для логического слоя и 10-нм технологии (1c) для DRAM-чипов, что обеспечило выдающиеся характеристики при минимальных архитектурных изменениях. Максимальная скорость передачи данных достигает 13 Гбит/с, а общая пропускная способность составляет не менее 3,3 ТБ/с, что на 2,7 раза превышает производительность предшественника HBM3E. В несмотря на удвоенное количество выводов (с 1024 до 2048), инженерам удалось увеличить энергоэффективность на 40%. В настоящее время доступны решения объемом 24 и 36 ГБ, в то время как в будущем планируется выпуск 48-ГБ модулей. Ожидается, что спрос на HBM вырастет более чем в три раза к 2026 году, в то время как тестирование усовершенствованной версии HBM4E начнется в 2026 году.
