Автор: Samsung Electronics, ведущий южнокорейский производитель технологий, планирует в следующем месяце начать массовое производство новой памяти HBM4. Эти высокопроизводительные чипы привлекут внимание Nvidia, которая будет использовать их для разработки своих будущих вычислительных ускорителей, включая ожидаемое семейство Rubin. Данный шаг демонстрирует стремление Samsung занять более сильные позиции на рынке высокопропускной памяти, где она конкурирует с SK hynix, занимающей в настоящий момент лидирующие позиции.
HBM, или высокая пропускная память, представляет собой уникальный вид DRAM, который обеспечивает высокую скорость передачи данных при низком энергопотреблении, что особенно важно для современных технологий искусственного интеллекта и суперкомпьютеров. Ожидается, что HBM4 предложит еще более высокую производительность по сравнению с HBM3E, что позволит работать с более сложными ИИ-моделями.
Перед началом поставок проводились квалификационные испытания, в ходе которых чипы были проверены и одобрены такими компаниями, как Nvidia и AMD. Первые образцы продукции были отправлены на тестирование еще осенью, что подчеркивает сложный процесс подготовки. В то же время SK hynix активно расширяет свои производственные мощности, включая новый завод M15X, чтобы соответствовать растущему спросу на память для ИИ.
