Китай создает новый источник экстремального ультрафиолетового излучения для литографии

Специалисты из Китая представили новаторский настольный источник экстремального ультрафиолетового излучения (EUV), что стало важным шагом к технологической независимости страны в области производства микрочипов. Новый прибор способен создавать микросхемы с топологическими узлами на уровне 14 нанометров. Хотя он не может полностью заменить высокотехнологичное оборудование голландской компании ASML, устройство предлагает перспективную альтернативу для мелкосерийного производства и научных исследований, включая инспекцию чипов и тестирование квантовых процессоров.

Разработка использует фемтосекундный лазер и аргоновый газ для генерации EUV, что позволяет избежать дорогостоящих коллекторных зеркал. Новый источник потребляет всего 1 микроватт на импульс, что значительно сокращает энергозатраты. Его компактный размер делает его доступным, что является критически важным для Китая, стремящегося устранить зависимость от западных технологий. В experts_view, новая технология открывает новые горизонты для научных исследований и производства микрочипов.